Leistungshalbleiter

Rohm Semiconductor

Netzteile mit 1700-V-SiC-MOSFETs plus Regler einfach designen

Bei SiC-MOSFETs gibt es noch einige Herausforderungen hinsichtlich ihrer Anwendung. Vor allem die Anpassung der Gate-Treiber und das Design der Klemmschaltung gegen Überspannungen sind mit zusätzlichen Kosten und erhöhtem Aufwand verbunden. Das muss nicht sein.

Energy-Harvesting-On-Chip-Subsystem

Ohne Batteriewechsel auskommen im IoT

Renesas‘ MCU-Familie RE01 ist für die Entwicklung von Energy-Harvesting-Systemen...

5. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Tipps und Tricks für den richtigen Einsatz

Vier hochkarätige Keynotes zählen zu den Highlights des diesjährigen „Anwenderforums...

Infineon und Panasonic

Zweite GaN-Generation kommt 2023

Infineon und Panasonic haben vereinbart, im ersten Halbjahr 2023 eine zweite Generation...

Yole Développement

China drängt auf den MOSFET-Markt

Bei Silizium-MOSFETs wird das künftige Wachstum besonders aus dem Automobilbereich...

Leistungselektronik in Windkraftanlagen

Komponenten offshore-tauglich machen

Leistungselektronik sorgt in Windkraftanlagen dafür, dass die fluktuierend erzeugte...

Erweiterte Siliziumkarbid-Kapazitäten

onsemi übernimmt GTAT für 415 Mio. US-Dollar

Nun hat sich auch Infineon-Rivale onsemi im Bereich der SiC-Rohmaterialien verstärkt....

Yole Développement

Markt für IGBTs wächst auch weiterhin stark

Selbst wenn Siliziumkarbid den IGBTs Konkurrenz macht, auch der IGBT-Markt dürfte sich...

5. Anwenderforum Leistungshalbleiter

Hochkarätige Keynote-Sprecher

Am 26. und 27. Oktober 2021 findet das 5. Anwenderforum Leistungshalbleiter noch einmal...

Siliziumkarbid-Wafer

Cree und STMicroelectronics erweitern Liefervereinbarung

Auch wenn STMicroelectronics erst kürzlich erste eigene Siliziumkarbid-Wafer mit 200 mm...